IPB108N15N3 G
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- 数据列表 :IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G
- 标准包装 :1,000
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :OptiMOS™
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :150V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :83A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :10.8 毫欧 @ 83A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :4V @ 160µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :55nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :3230pF @ 75V
- 功率 - 最大 :214W
- 安装类型 :表面贴装
- 封装/外壳 :TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装 :PG-TO263-2
- 包装 :带卷 (TR)
- 其它名称 :IPB108N15N3 G-NDSP000677862
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